GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測量方法
發布時間： 2023-08-23 13:21:26 點擊： 752
GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測量方法
GB/T 11073-2007是關于硅片徑向電阻率變化的測量方法的標準。它適用于厚度小于探針平均間距、直徑大于15mm、電阻率為1X10^-3Ω·cm到3X10^3Ω·cm的硅單晶圓片徑向電阻率變化的測量。
硅片的徑向電阻率是指硅片沿徑向方向的電阻率。在標準的測試方法中，硅片的徑向電阻率是通過測量硅片在不同位置的電阻值，然后計算出平均電阻率來實現的。
具體的測試方法如下：
將硅片放在測試夾具上，并確保硅片與夾具接觸良好。
使用探針或電極在硅片的表面不同位置測量電阻值。
將所有測量點的電阻值記錄下來，并計算平均電阻率。
根據平均電阻率，可以判斷硅片的導電性能。
需要注意的是，硅片的徑向電阻率受到多種因素的影響，如硅片的厚度、晶向、摻雜濃度等。因此，在測試時需要控制測試條件并采取必要的修正措施，以保證測試結果的準確性。
此外，對于硅片的電性能參數的測量，除了徑向電阻率外，還包括體電阻率、表面電阻率等參數。這些參數的測量對于評估硅材料的電性能和優化器件的性能具有重要意義
